Service-hotline
+ 86 0755-83044319
tYpe: P-kanaal
Vdss:-12V
Id:-2.6A
RDS (aan)@VGS, ID:30mΩ@-4.5V, -2.6A
Vgs(d)@Id: -0.7V@-250μA
Onze voordelen
Chinese productieprocessen hebben jaren van iteratie ondergaan, resulterend in volwassen en betrouwbare technologieën. Veel internationale bedrijven kiezen voor productie-outsourcing in China. Als fabrikant van elektronische componenten in China kunnen onze producten die van grote internationale merken in 99% van de toepassingen volledig vervangen zonder dat er testverificatie nodig is. Onze producten beschikken over een hoge consistentie in kwaliteit, redelijke prijzen, ruime voorraad, flexibel aanbod, korte doorlooptijden en professionele after-sales service.
Algemene beschrijving
De FDN306P P-kanaalverbetering MOSFET is ontworpen om robuuste prestaties te bieden bij toepassingen met negatieve spanning, gehuisvest in een compact SOT-23-pakket. Dit MOSFET is geoptimaliseerd voor zeer efficiënt schakelen en minimaal vermogensverlies, waardoor het een ideale keuze is voor een verscheidenheid aan elektronische circuits die met negatieve spanningen werken.
Kenmerken
● TrenchPower LV MOSFET technologie
● Celontwerp met hoge dichtheid voor lage RDS(AAN)
● Hogesnelheidsschakeling
Toepassingen
● Batterijbescherming
● Lastschakelaar
● Energiebeheer
Sitemap | 萨科微 | 金航标 | Slkor | Koninghelm
RU | FR | DE | IT | ES | PT | JA | KO | AR | TR | TH | MS | VI | MG | FA | ZH-TW | HR | BG | SD| GD | SN | SM | PS | LB | KY | KU | HAW | CO | AM | UZ | TG | SU | ST | ML | KK | NY | ZU | YO | TE | TA | SO| PA| NE | MN | MI | LA | LO | KM | KN
| JW | IG | HMN | HA | EO | CEB | BS | BN | UR | HT | KA | EU | AZ | HY | YI |MK | IS | BE | CY | GA | SW | SV | AF | FA | TR | TH | MT | HU | GL | ET | NL | DA | CS | FI | EL | HI | NEE | PL | RO | CA | TL | IW | LV | ID | LT | SR | SQ | SL | UK
Copyright ©2015-2025 Shenzhen Slkor Micro Semicon Co., Ltd