+ 86 755-83044319

Onze Producten

/
/
/
/
FDN306P P-kanaalverbetering MOSFET SOT-23 FDN306P P-kanaalverbetering MOSFET SOT-23 FDN306P P-kanaalverbetering MOSFET SOT-23
FDN306P P-kanaalverbetering MOSFET SOT-23

tYpe: P-kanaal

Vdss:-12V

Id:-2.6A

RDS (aan)@VGS, ID:30mΩ@-4.5V, -2.6A

Vgs(d)@Id: -0.7V@-250μA


Productdetails

Onze voordelen
Chinese productieprocessen hebben jaren van iteratie ondergaan, resulterend in volwassen en betrouwbare technologieën. Veel internationale bedrijven kiezen voor productie-outsourcing in China. Als fabrikant van elektronische componenten in China kunnen onze producten die van grote internationale merken in 99% van de toepassingen volledig vervangen zonder dat er testverificatie nodig is. Onze producten beschikken over een hoge consistentie in kwaliteit, redelijke prijzen, ruime voorraad, flexibel aanbod, korte doorlooptijden en professionele after-sales service. 


Algemene beschrijving

De FDN306P P-kanaalverbetering MOSFET is ontworpen om robuuste prestaties te bieden bij toepassingen met negatieve spanning, gehuisvest in een compact SOT-23-pakket. Dit MOSFET is geoptimaliseerd voor zeer efficiënt schakelen en minimaal vermogensverlies, waardoor het een ideale keuze is voor een verscheidenheid aan elektronische circuits die met negatieve spanningen werken.

Kenmerken

● TrenchPower LV MOSFET technologie

● Celontwerp met hoge dichtheid voor lage RDS(AAN)

● Hogesnelheidsschakeling


Toepassingen

● Batterijbescherming 

● Lastschakelaar 

● Energiebeheer



FDN306P SOT-23_0.jpg


Service-hotline

+ 86 0755-83044319

Hall-effectsensor

Productinformatie opvragen

WeChat

WeChat