Siliciumcarbide SiC is een samengesteld halfgeleidermateriaal bestaande uit silicium Si en koolstof C, meestal in het kristaltype 4H-SiC. De veldsterkte voor doorbraak van de isolatie is 10 keer die van Si, de energiekloof is 3 keer die van Si, de thermische geleidbaarheid is 3 keer die van Si en de verzadigingsdriftsnelheid is 2 keer die van Si. Het is een zeer superieur elektronisch apparaatmateriaal dan Si.